トランジスタ MP20B ゲルマニウム合金 p-n-p スイッチング低周波低電力。
一般および特殊用途の無線エンジニアリング デバイスのスイッチング回路で使用するために設計されています。
トランジスタの質量は 2.0 g 以下です。
同等/相当品: 2N1175、2N60、2N655、AC125、AC126、EFT313、EFT323、EFT333、SFT223、SFT322、AC132。
MP20B トランジスタの主な技術特性:
トランジスタ構造: p-n-p
Рк max — 一定コレクタ電力消費: 150 mW。
fh21b — 共通エミッタと共通ベースを持つ回路のトランジスタ電流伝達係数の限界周波数: 1.5 MHz 以上。
- 特定のコレクタ逆電流およびエミッタ開放回路でのコレクタベース降伏電圧: 30 V。
- 特定のエミッタ逆電流および開放コレクタ回路でのエミッタベース降伏電圧: 50 V。
Iк および max - コレクタの最大許容パルス電流: 300 mA。
Ikbo - 逆コレクタ電流 - 特定の逆コレクタベース電圧および開放エミッタ端子でのコレクタ接合部を流れる電流: 50 μA 以下。
h21е - 共通エミッタおよび共通ベースを持つ回路での小信号モードにおけるトランジスタの静的電流伝達係数: それぞれ 80...200。
Rke us - コレクタとエミッタ間の飽和抵抗: 1 オーム以下