IRFS3206 Power MOSFET Nチャンネル MOSFET 60V 210 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン パワー MOS FET 3206
各種インバーター回路、ソーラーコントローラー モーター制御
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参考データですので詳しくはご使用者様の方でお調べご確認ください。(変更更新・間違っている場合があります)
VDSS 60V
RDS(on) typ. 2.4m max. 3.0m
ID (Silicon Limited) 210A ID (Package Limited) 120A
仕様
チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 210A
最大ドレイン-ソース間電圧 60 V
パッケージタイプ D2PAK (TO-263)
実装タイプ 表面実装
ピン数 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 3 mΩ
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 4V
最低ゲートしきい値電圧 2V
最大パワー消費 300 W
トランジスタ構成 シングル
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V
1チップ当たりのエレメント数 1
幅 9.65mm
長さ 10.67mm
トランジスタ素材 Si
動作温度 Max +175 °C
標準ゲートチャージ @ Vgs 120 nC @ 10 V
高さ 4.83mm
動作温度 Min -55 °C
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